Toshiba giới thiệu chip nhớ FeRAM 128 Megabit

(Zing) - Chip nhớ FeRAM 128 Megabit sẽ được Toshiba giới thiệu tại hội nghị International Solid-State Circuits Conference 2009 diễn ra trong tuần này tại San Francisco (Mỹ).

Ảnh cắt lớp chip nhớ FeRAM 128 Megabit do Toshiba phát triển.

FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory), một loại chip nhớ mới dành cho các sản phẩm công nghệ có tốc độ xử lý nhanh hơn đến 10.000 lần nhưng tiêu tốn điện năng ít hơn so với loại chip nhớ EEPROM. Loại chip nhớ có tốc độ đọc/ghi dữ liệu lên đến 1,6 GB/s đã được hãng Toshiba cùng NEC giới thiệu cách đây ba năm với phiên bản FeRAM 64 Megabit.

Cùng với tốc độ đọc/ghi nhanh, khả năng lưu trữ ổn định giống như loại chịp nhớ NAND, chịp nhớ FeRAM dự kiến trong tương lại sẽ được hãng Toshiba phát triển dành cho các thiết bị lưu trữ di động, điện thoại lẫn máy tính xách tay cùng các thiết bị giải trí đa phương tiên khác.

Xuân Tùng

Tổng hợp