Flagship mới nhất của Huawei dùng chip nhớ Hàn Quốc

Cận cảnh linh kiện bên trong của Mate 70 Pro Plus sau khi tháo rời. Ảnh: TechInsights.

Theo các nhà nghiên cứu tại TechInsights, dòng Huawei Mate 70 được giới thiệu tại Trung Quốc ngày 26/11 có chứa chip nhớ do nhà cung cấp chất bán dẫn Hàn Quốc SK Hynix sản xuất.

Cụ thể, trong báo cáo từ việc tháo rời linh kiện, TechInsights cho biết họ đã tìm thấy DRAM di động công suất thấp 12 GB và NAND 512 GB của SK Hynix bên trong điện thoại Huawei Mate 70 Pro. Ngoài ra, phiên bản Mate 70 Pro Plus cao cấp hơn cũng sử dụng NAND và DRAM 16 GB từ SK Hynix.

NAND là một loại bộ nhớ được sử dụng để lưu trữ flash, trong khi DRAM là viết tắt của bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động được sử dụng phổ biến trong smartphone và máy tính.

Theo nhà phân tích cấp cao Jeongdong Choe của TechInsights, SK Hynix đã sản xuất các thiết bị DRAM di động này bằng tiến trình 14 nm và công nghệ quang khắc cực tím tiên tiến.

Trong thông cáo mới nhất, SK Hynix cho biết hãng đã tuân thủ nghiêm ngặt các chính sách có liên quan kể từ khi các hạn chế đối với Huawei được công bố và cũng đã đình chỉ mọi giao dịch với công ty kể từ đó.

Cũng theo ông Choe, các nhà nghiên cứu đã ngạc nhiên khi thấy chip SK Hynix được sử dụng trong dòng Mate 70 vì họ dự đoán Huawei sẽ sử dụng thiết bị bộ nhớ từ thương hiệu trong nước như Changxin Memory Technologies cho DRAM và NAND của Yangtze Memory Technologies.

Dòng Huawei Mate 70 được giới thiệu tại Trung Quốc ngày 26/11 với các mẫu Mate 70, 70 Pro, 70 Pro+ và 70 RS.

Theo các nhà nghiên cứu tại TechInsights, con chip Kirin 9020 trong mẫu flagship năm nay do Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) sản xuất dựa trên tiến trình 7 nm, tương tự bộ xử lý của Mate 60 Pro vào năm ngoái.

Về mặt công nghệ, điều này có nghĩa là Huawei đã đi chậm hơn khoảng 5 năm so với sản phẩm từ công ty dẫn đầu ngành là TSMC.