Bạn có thể chuyển sang phiên bản mobile rút gọn của Tri thức trực tuyến nếu mạng chậm. Đóng

iPhone 7 sẽ có bộ nhớ siêu tốc

SanDisk và Toshiba đang đua nhau phát triển loại chip nhớ tốc độ ghi chép dữ liệu nhanh và có thể áp dụng cho iPhone 7.

Toshiba và Sandisk vừa ra mắt hai loại chip nhớ đầu tiên trên thế giới mang tên mã 256 GB 48 lớp BiCS 3D. Đây cũng là hai đối tác chuyên cung cấp bộ nhớ cho iPhone của Apple, bên cạnh SK Hynix.

Ý tưởng iPhone 7 có nút home nằm trong màn hình. Ảnh: CB.

Cụ thể, Toshiba và SanDisk đã tạo ra chip nhớ 32 GB có tốc độ nhanh hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn gấp nhiều lần so với thế hệ bộ nhớ hiện nay. Loại chip này được sản xuất trên quy trình 15nm, cho mật độ lưu trữ dày gấp đôi. Công nghệ này sẽ được áp dụng trên các smartphone, tablet, thẻ nhớ, ổ cứng SSD và nhiều thiết bị mới trong năm 2016.

Apple đã lên kế hoạch ra mắt iPhone 6S vào tháng 9 năm nay, trùng với giai đoạn Toshiba và SanDisk sản xuất hàng loạt chip BiCS 3D. Do đó, nhiều khả năng thế hệ bộ nhớ mới sẽ xuất hiện trên iPhone 7. 

Bên cạnh việc sở hữu tốc độ ghi chép dữ liệu siêu nhanh, iPhone 7 được đồn đoán sở hữu nút home nằm trong màn hình hoặc thậm chí có nút home cảm ứng ảo. Đây sẽ là một chiếc smartphone có thiết kế hoàn toàn mới, có vỏ kim loại siêu bền. 

Nút home trên iPhone có thể bị khai tử

Công nghệ mới cho phép smartphone, tablet nhận diện vân tay xuyên qua lớp kính cường lực Gorilla Glass. Nếu đi vào thực tiễn sản xuất, nút home trên iPhone có thể bị khai tử.

Duy Nguyễn

Bạn có thể quan tâm